半導體Nature・二維半導體
400 個位置長出 397 顆單晶：
讓晶體只在中央生長
二維半導體晶體通常在隨機位置成核，晶界會影響效能；新方法以氧氣形成的蝕刻通量壓制邊緣成核。
TAGTECH 科技版・閱讀時間約 2 分鐘
韓國科學技術院（KAIST）與初創公司 TDS Innovation 等研究人員於 10 月 7 日在 Nature 發表論文，提出控制二維半導體晶體生長位置的方法。
問題PROBLEM
二硫化鉬（MoS₂）等單層過渡金屬二硫屬化物具有能隙，被研究用於未來的電晶體。但在晶圓上生長時，晶體通常在隨機位置成核，多顆晶體相遇後形成晶界，會降低電性表現及一致性。
方法與結果RESULTS
團隊的方法利用氧化物屏障釋出的氧氣，形成橫向蝕刻通量，令每個圖案區域只在幾何中心成核。據論文報告，在 2 厘米基板上的 400 個圖案位置中，397 個長出單晶，良率 99.3%；以此製作的場效電晶體，載流子遷移率高於過往選擇性生長的 MoS₂ 電晶體。The Register 指，這尚未屬商業晶片生產的示範。
KEY NUMBERS・重點數字
99.3%單晶良率（論文報告）